Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| GaN基日盲型紫外探测器面阵及其制作方法 | |
颜廷静 ; 苏艳梅; 王国东; 种 明
| |
| 2010-08-12 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2010-01-16 ; 2010-08-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种GaN基日盲型紫外探测器面阵，包括:一衬底;一成核层，该成核层生长在衬底上;一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层生长在成核层上;一有源层，该有源层生长在N型欧姆接触层上;一P型欧姆接触层，该P型欧姆接触层生长在有源层上;一P型欧姆接触电极，该P型欧姆接触电极生长在P型欧姆接触层上;一二次金属，该二次金属生长在P型欧姆接触电极的上面;一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极生长在N型欧姆接触层上;一钝化层，该钝化层淀积在N型欧姆接触层、有源层、P型欧姆接触层、P型欧姆接触电极、二次金属和N型欧姆接触电极的两侧。 |
| 申请日期 | 2008-07-02 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 实质审查的生效 |
| 申请号 | CN200810116040.7 |
| 专利代理人 | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13432 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 颜廷静,苏艳梅,王国东,等. GaN基日盲型紫外探测器面阵及其制作方法[P]. 2010-08-12. |
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