高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 专利

专利名称: 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法
发明人: 王鹏飞;  吴东海;  吴兵朋;  熊永华;  詹 峰;  黄社松;  倪海桥;  牛智川
授权日期: 2010-8-12
摘要: 本发明公开了一种在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法,包括如下步骤:步骤1:选取(100)面偏向<111>方向6°或9°的Ge衬底;步骤2:对Ge衬底进行除气脱氧及退火处理;步骤3:将进行退火处理后的Ge衬底在As蒸气环境下暴露一定时间,然后在温度300至650℃范围内在该Ge衬底上生长无反相畴的GaAs薄膜。测试结果表明,生长出的GaAs薄膜表面粗糙度仅为0.718nm,即成功地抑制了反相畴的产生,其晶体质量优于目前世界的最好结果。
专题: 半导体研究所机构知识库_专利

条目包含的文件

文件 大小格式
3581.pdf412KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
王鹏飞;吴东海;吴兵朋;熊永华;詹 峰;黄社松;倪海桥;牛智川 ,在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法,CN200810116412.6 ,2008-07-09
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [王鹏飞]的文章
 [吴东海]的文章
 [吴兵朋]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [王鹏飞]的文章
 [吴东海]的文章
 [吴兵朋]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发