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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 专利

专利名称: 低温晶片键合的方法
发明人: 彭红玲;  陈良惠;  郑婉华;  石 岩;  渠红伟;  杨国华;  何国荣
授权日期: 2010-8-12
摘要: 一种低温晶片键合的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:将单面抛光的Si外延片和InGaAs外延片用有机溶剂清洗,去除表面的有机物,该InGaAs外延片的底层为InP衬底;步骤2:再分别对Si外延片和InGaAs外延片进行表面处理,以去除表面的杂质离子、除碳和亲水性处理;步骤3:将Si外延片和InGaAs外延片进行贴合,贴合后的晶片对置于真空键合机内键合,进行第一次热处理,以驱除键合界面的水气;步骤4:对键合后的晶片进行减薄;步骤5:再对减薄后的晶片进行第二次热处理;步骤6:最后腐蚀掉键合晶片的InP衬底,完成低温晶片键合的制作。
专题: 半导体研究所机构知识库_专利

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推荐引用方式:
彭红玲;陈良惠;郑婉华;石 岩;渠红伟;杨国华;何国荣 ,低温晶片键合的方法,CN200810222336.7 ,2008-09-17
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