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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Huang Guang-Wei;   Wu Kun;   Chen Ye;   Li Lin-Xiang;   Zhang Si-Yuan;   Wang Zun-Gang;   Zhu Hong-Ying;   Zhou Chun-Zhi;   Zhang Yi-Yun;   Liu Zhi-Qiang;   Yi Xiao-Yan;   Li Jin-Min
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  周志文;  贺敬凯;  王瑞春;  李成;  余金中
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在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  周慧英;  曲胜春;  金鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王智杰;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Liu JP (Liu Jun-Peng);  Qu SC (Qu Sheng-Chun);  Chen YH (Chen Yong-Hai);  Xu Y (Xu Ying);  Zeng XB (Zeng Xiang-Bo);  Liang LY (Liang Ling-Yan);  Wang ZJ (Wang Zhi-Jie);  Zhou HY (Zhou Hui-Ying);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qusc@163.com
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Liu JP (Liu Jun-Peng);  Qu SC (Qu Sheng-Chun);  Xu Y (Xu Ying);  Chen YH (Chen Yong-Hai);  Zeng XB (Zeng Xiang-Bo);  Wang ZJ (Wang Zhi-Jie);  Zhou HY (Zhou Hui-Ying);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@red.semi.ac.cn
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大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  杨少延;  刘志凯;  柴春林
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  杨少延;  柴春林;  周剑平;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  刘志凯;  周剑平;  柴春林;  杨少延;  宋书林;  李艳丽;  陈诺夫
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磁性p-n结薄膜材料及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  周剑平;  陈诺夫;  张富强;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  周剑平;  陈诺夫;  宋书林;  柴春林;  杨少延;  刘志凯;  林兰英
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