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| 在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周慧英; 曲胜春; 金鹏 ; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王智杰; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu JP (Liu Jun-Peng); Qu SC (Qu Sheng-Chun); Chen YH (Chen Yong-Hai); Xu Y (Xu Ying); Zeng XB (Zeng Xiang-Bo); Liang LY (Liang Ling-Yan); Wang ZJ (Wang Zhi-Jie); Zhou HY (Zhou Hui-Ying); Wang ZG (Wang Zhan-Guo); Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qusc@163.com
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu JP (Liu Jun-Peng); Qu SC (Qu Sheng-Chun); Xu Y (Xu Ying); Chen YH (Chen Yong-Hai); Zeng XB (Zeng Xiang-Bo); Wang ZJ (Wang Zhi-Jie); Zhou HY (Zhou Hui-Ying); Wang ZG (Wang Zhan-Guo); Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@red.semi.ac.cn
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| 大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 宋书林; 陈诺夫; 周剑平; 杨少延; 刘志凯; 柴春林
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杨少延; 柴春林; 周剑平; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘志凯; 周剑平; 柴春林; 杨少延; 宋书林; 李艳丽; 陈诺夫
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| 磁性p-n结薄膜材料及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周剑平; 陈诺夫; 张富强; 刘志凯; 杨少延; 柴春林
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周剑平; 陈诺夫; 宋书林; 柴春林; 杨少延; 刘志凯; 林兰英
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 宋书林; 陈诺夫; 周剑平; 柴春林; 杨少延; 刘志凯
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 仇志军; 蒋春萍; 桂永胜; 疏小舟; 郭少令; 褚君浩; 崔利杰; 曾一平; 朱战平; 王保强
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