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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhu NH (Zhu Ning Hua); Zhang HG (Zhang Hong Guang); Man JW (Man Jiang Wei); Zhu HL (Zhu Hong Liang); Ke JH (Ke Jian Hong); Liu Y (Liu Yu); Wang X (Wang Xin); Yuan HQ (Yuan Hai Qing); Xie L (Xie Liang); Wang W (Wang Wei); Zhu, NH, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: nhzhu@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈微 ; 邢名欣; 任刚; 王科; 杜晓宇; 张冶金; 郑婉华
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| 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军
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| 含高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王青; 何国荣; 渠红伟; 韦欣; 宋国峰; 陈良惠
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| 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 马志勇; 王晓亮; 冉军学; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 罗卫军
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| 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 马志勇; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅; 罗卫军
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘晓东; 王玮竹; 高瑞鑫; 赵建华; 文锦辉; 林位株; 赖天树
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈伟; 张艳; 任民; 谢亮; 袁海庆; 王欣; 祝宁华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yang H (Yang Hua); Zhu HL (Zhu Hong-Liang); Pan JQ (Pan Jiao-Qing); Feng W (Feng Wen); Xie HY (Xie Hong-Yun); Zhou F (Zhou Fan); An X (An Xin); Bian J (Bian Jing); Zhao LJ (Zhao Ling-Juan); Chen WX (Chen Wei-Xi); Wang W (Wang Wei); Yang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yanghua@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ma ZY (Ma Zhi-Yong); Wang XL (Wang Xiao-Liang); Hu GX (Hu Guo-Xin); Ran JX (Ran Jun-Xue); Xiao HL (Xiao Hong-Ling); Luo WJ (Luo Wei-Jun); Tang J (Tang Jian); Li JP (Li Jian-Ping); Li JM (Li Jin-Min); Ma, ZY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: mazhiyong@mail.semi.ac.cn
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