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| 一种制备高速电吸收调制器的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810225782.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张伟; 潘教青 ; 汪洋; 朱洪亮
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| 具有硅纳米线结构的硅薄膜太阳能电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20
发明人: 谢小兵; 曾湘波; 杨萍; 李洁; 李敬彦; 张晓东; 王启明
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| 制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人: 张恒; 魏鸿源; 杨少延; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 刘祥林; 王占国
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| 一种硅纳米线阵列结构硅薄膜太阳电池及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014
发明人: 杨萍; 曾湘波; 谢小兵; 张晓东; 李浩; 王占国
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| 一种低发散角分布反馈量子级联激光器结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人: 张锦川; 刘峰奇; 闫方亮; 姚丹阳; 王利军; 刘俊岐; 王占国
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| 一种低发散角的面區?射量子级联激光器结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人: 张锦川; 姚丹阳; 闫方亮; 刘峰奇; 王利军; 刘俊岐; 王占国
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| 利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12
发明人: 杨少延; 张恒; 魏鸿源; 焦春美; 赵桂娟; 汪连山; 刘祥林; 王占国
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| 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人: 王建霞; 李志伟; 赵桂娟; 桑玲; 刘长波; 魏鸿源; 焦春美; 杨少延; 刘祥林; 朱勤生; 王占国
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| 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人: 赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 刘贵鹏; 刘长波; 谷承艳; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人: 刘长波; 赵桂娟; 桑玲; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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