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采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  伊晓燕;  王良臣;  王国宏;  李晋闽
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一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王立彬;  伊晓燕;  刘志强;  陈宇;  郭德博;  王良臣
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低损伤PECVD沉积致密SiO2的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈宇;  王良臣;  伊晓燕;  李艳
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P型氮化镓电极的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈宇;  王良臣;  伊晓燕
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GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈宇;  王良臣;  伊晓燕;  郭金霞
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采用衬底表面粗化技术的倒装结构发光二极管制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王良臣;  伊晓燕;  刘志强
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共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  黄应龙;  杨富华;  王良臣;  王建林;  伊小燕;  马龙
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背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  马龙;  王良臣;  王立彬;  郭金霞;  伊晓燕
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发光二极管封装结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102255034A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  杨华;  卢鹏志;  谢海忠;  于飞;  郑怀文;  薛斌;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
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氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214743A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  郭恩卿;  伊晓燕;  汪炼成;  孙波;  王国宏
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