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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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李成明 [4]
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文献类型
期刊论文 [13]
专利 [9]
发表日期
2007 [22]
语种
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语种:中文
发表日期:2007
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85
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采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
马龙
;
杨富华
;
王良臣
;
黄应龙
Adobe PDF(867Kb)
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浏览/下载:1139/161
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提交时间:2009/06/11
利用凹区作选择区域外延制作平面型集成有源波导的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
朱洪亮
;
侯康平
;
杨华
;
梁松
;
王圩
Adobe PDF(666Kb)
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浏览/下载:1128/174
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提交时间:2009/06/11
具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
陈涌海
;
李成明
;
范海波
;
王占国
Adobe PDF(924Kb)
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浏览/下载:1202/171
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提交时间:2009/06/11
具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
陈涌海
;
李成明
;
范海波
;
王占国
Adobe PDF(931Kb)
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浏览/下载:1263/176
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提交时间:2009/06/11
具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
杨霏
;
李成明
;
范海波
;
陈涌海
;
刘志凯
;
王占国
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浏览/下载:1193/193
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提交时间:2009/06/11
利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
陈涌海
;
李成明
;
范海波
;
王占国
Adobe PDF(1043Kb)
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浏览/下载:1063/158
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提交时间:2009/06/11
基于微分负阻器件与CMOS电路的纳米流水线乘法器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
马龙
;
王良臣
;
杨富华
Adobe PDF(762Kb)
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浏览/下载:911/129
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提交时间:2009/06/11
磁控溅射仪衬底固定夹具
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王鹏
;
陈诺夫
;
尹志岗
;
杨霏
Adobe PDF(452Kb)
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浏览/下载:1054/153
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提交时间:2009/06/11
用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李宝霞
;
张靖
;
杨华
;
王圩
Adobe PDF(469Kb)
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浏览/下载:1110/190
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yang, J (Yang Jun)
;
Zhao, YW (Zhao You-Wen)
;
Dong, ZY (Dong Zhi-Yuan)
;
Deng, AH (Deng Ai-Hong)
;
Miao, SS (Miao Shan-Shan)
;
Wang, B (Wang Bo)
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:886/251
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提交时间:2010/03/29