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| 采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马龙; 杨富华; 王良臣; 黄应龙 Adobe PDF(867Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1149/161  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用凹区作选择区域外延制作平面型集成有源波导的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 朱洪亮; 侯康平; 杨华; 梁松; 王圩 Adobe PDF(666Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1138/174  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国 Adobe PDF(924Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1218/171  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国 Adobe PDF(931Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1271/176  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 杨霏; 李成明; 范海波; 陈涌海; 刘志凯; 王占国 Adobe PDF(1107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1204/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国 Adobe PDF(1043Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1075/158  |  提交时间:2009/06/11 |
| 基于微分负阻器件与CMOS电路的纳米流水线乘法器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马龙; 王良臣; 杨富华 Adobe PDF(762Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:926/129  |  提交时间:2009/06/11 |
| 磁控溅射仪衬底固定夹具 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王鹏; 陈诺夫; 尹志岗; 杨霏 Adobe PDF(452Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1072/153  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李宝霞; 张靖; 杨华; 王圩 Adobe PDF(469Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1130/190  |  提交时间:2009/06/11 |