中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  纪攀峰;  李京波;  闫建昌;  刘乃鑫;  刘喆;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(315Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1912/220  |  提交时间：2011/08/31
Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102351236A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  赵婧;  刘喆;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(840Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1090/167  |  提交时间：2012/09/09
适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫建昌;  王军喜;  刘乃鑫;  魏同波;  魏学成;  马平;  刘喆;  曾一平;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(255Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1703/298  |  提交时间：2011/08/31
一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241699.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  纪攀峰;  李京波;  闫建昌;  刘乃鑫;  刘喆;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(495Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1518/153  |  提交时间：2011/08/31
低位错氮化镓的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102409406A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  吴奎;  魏同波;  闫建昌;  刘喆;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(258Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1161/208  |  提交时间：2012/09/09
一种增强LED出光效率的粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263076.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫建昌;  王军喜;  刘乃鑫;  魏同波;  魏学成;  马平;  刘喆;  曾一平;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1795/300  |  提交时间：2011/08/31
一种紫外LED的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102148300A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  贠利君;  吴奎;  刘乃鑫;  刘喆;  王军喜
Adobe PDF(336Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1837/343  |  提交时间：2012/09/09
Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102351229A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  赵婧;  刘喆;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(817Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1120/173  |  提交时间：2012/09/09
一种控制半导体LED外延片内应力的装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07
发明人:  张宁;  魏学成;  刘桂鹏;  刘喆;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(333Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：668/84  |  提交时间：2014/12/25
一种提高发光效率的LED结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07
发明人:  张宁;  任鹏;  刘喆;  李晋闽;  王军喜
Adobe PDF(263Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：704/91  |  提交时间：2014/12/25