| Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法; Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法 |
| 赵婧; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法,包括如下步骤：步骤1：将Ca(C2H3O2)2·4H2O和Co(C2H3O2)2·4H2O按比例充分混合并溶解于去离子水中,形成混合液；步骤2：将NaOH溶液缓慢滴入该混合液中,与混合液发生反应,形成沉淀产物；步骤3：从反应后的混合液中过滤出沉淀产物,将该沉淀产物用去离子水多次清洗；步骤4：将清洗后沉淀产物在干燥箱中烘干后进行研磨,得到前驱体粉末；步骤5：将前驱体粉末置于石英舟中,放入管式反应炉的中部,前驱体粉末在Ar气氛下煅烧分解,得到白色的纳米粉末,完成Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
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| 专利号 | CN102351229A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110185320.5
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23504
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| 专题 | 中科院半导体照明研发中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
赵婧,刘喆,王军喜,等. Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法, Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法. CN102351229A.
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