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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡新宁;  王秋良;  崔春艳;  韩立;  谢亮
Adobe PDF(293Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：941/260  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡新宁;  王秋良;  崔春艳;  韩立;  鞠昱;  王欣;  谢亮
Adobe PDF(455Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：919/297  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王勇刚;  马骁宁;  王树堂
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High performance 1.55 mu m InGaAsP/InP strained layer quantum well laser diodes fabricated by MOCVD overgrowth method 会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:  Ma XY;  Cao Q;  Wang ST;  Guo L;  Wang ZM;  Wang LM;  He GP;  Yang YL;  Zhang HQ;  Zhou XN;  Chen LH;  Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Ingaasp  Strained Layer Quantum Well  Laser Diode  Mocvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  何宇亮;  褚一鸣;  王中怀;  刘湘娜;  白春礼
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  XU HD;  ZHANG SH;  WU H;  WANG HZ;  SHI XQ;  HUANG XM;  YANG CB;  CAO XN;  XU HD ACAD SINICAINST SEMICONDUCTORSPOB 912BEIJING 100083PEOPLES R CHINA
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  徐鸿达;  王宏杰;  薛寿清;  时贤庆;  黄晓梅;  杨彩炳;  曹效能
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  XU HD;  WANG HZ;  XUE SQ;  SHI XQ;  HUANG XM;  YANG CB;  CAO XN;  XU HD ACAD SINICAINST SEMICONDBEIJING 100083PEOPLES R CHINA
Adobe PDF(366Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：835/244  |  提交时间：2010/11/15