中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共30条，第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
聚光太阳电池单元 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  黄添懋;  王晓晖;  陈晨龙;  吴金良;  董毅
Adobe PDF(324Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1212/187  |  提交时间：2009/06/11
采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马龙;  杨富华;  王良臣;  黄应龙
Adobe PDF(867Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1135/161  |  提交时间：2009/06/11
基于微分负阻器件与CMOS电路的纳米流水线乘法器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马龙;  王良臣;  杨富华
Adobe PDF(762Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：905/129  |  提交时间：2009/06/11
共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄应龙;  杨富华;  王良臣;  王建林;  伊小燕;  马龙
Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1060/166  |  提交时间：2009/06/11
对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄应龙;  杨富华;  王良臣;  姜磊;  白云霞;  王莉
Adobe PDF(207Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1287/204  |  提交时间：2009/06/11
背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马龙;  王良臣;  王立彬;  郭金霞;  伊晓燕
Adobe PDF(550Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1074/164  |  提交时间：2009/06/11
全高清视频信号处理电路及处理方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102497493A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-09-07, 2012-09-07
发明人:  王国华;  段靖远;  李金龙;  施安存
Adobe PDF(399Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1229/240  |  提交时间：2012/09/07
一种铁电晶体材料的极化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102122105A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  范学东;  马传龙;  王海玲;  王宇飞;  马绍栋;  郑婉华
Adobe PDF(327Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1368/308  |  提交时间：2012/09/09
一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102321920A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  郑婉华;  马传龙;  范学东;  渠红伟;  彭红玲;  王海玲;  马绍栋
Adobe PDF(574Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1202/324  |  提交时间：2012/09/09
在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人:  赵建华;  王思亮;  俞学哲;  王海龙
Adobe PDF(232Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：607/101  |  提交时间：2014/10/31