SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共9条,第1-9条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ke-Fan Wang, Shengchun Qu, Dewei Liu, Kong Liu, Jian Wang, Li Zhao, Hongliang Zhu, Zhanguo Wang
Adobe PDF(892Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:410/80  |  提交时间:2014/03/18
量子点中间带和黑硅太阳电池研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  王科范
Adobe PDF(2444Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1426/62  |  提交时间:2012/06/25
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, Ke-Fan;  Gu, Yongxian;  Yang, Xiaoguang;  Yang, Tao;  Wang, Zhanguo
Adobe PDF(3282Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:705/259  |  提交时间:2013/04/23
硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  王科范;  杨晓光;  杨涛;  王占国
Adobe PDF(257Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1386/248  |  提交时间:2012/09/09
磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王科范;  杨晓光;  杨涛;  王占国
Adobe PDF(249Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1385/267  |  提交时间:2011/08/31
制备超饱和硫系元素掺杂硅的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-20, 2013-02-20
发明人:  王科范;  刘孔;  曲胜春;  王占国
Adobe PDF(259Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:659/102  |  提交时间:2014/10/24
一种超饱和掺杂半导体薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-28
发明人:  王科范;  张华荣;  彭成晓;  曲胜春;  王占国
Adobe PDF(262Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:661/93  |  提交时间:2014/11/17
硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-30
发明人:  王科范;  彭成晓;  刘孔;  谷城;  曲胜春;  王占国
Adobe PDF(564Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:721/81  |  提交时间:2014/12/25
碳化硅中间带太阳电池及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:  王科范;  张光彪;  丁丽;  刘孔;  曲胜春;  王占国
Adobe PDF(450Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:585/3  |  提交时间:2016/09/29