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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体照明研... [19]
作者
魏学成 [2]
魏同波 [2]
闫建昌 [2]
伊晓燕 [1]
文献类型
专利 [16]
期刊论文 [3]
发表日期
2014 [2]
2011 [1]
语种
中文 [8]
英语 [2]
出处
JOURNAL OF... [2]
中国科学基金 [1]
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收录类别
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资助机构
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专题:中科院半导体照明研发中心
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85
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期刊影响因子降序
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Dong, P
;
Yan, JC
;
Zhang, Y
;
Wang, JX
;
Zeng, JP
;
Geng, C
;
Cong, PP
;
Sun, LL
;
Wei, TB
;
Zhao, LX
;
Yan, QF
;
He, CG
;
Qin, ZX
;
Li, JM
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提交时间:2015/03/25
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Dong, P
;
Yan, JC
;
Zhang, Y
;
Wang, JX
;
Zeng, JP
;
Geng, C
;
Cong, PP
;
Sun, LL
;
Wei, TB
;
Zhao, LX
;
Yan, QF
;
He, CG
;
Qin, ZX
;
Li, JM
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浏览/下载:617/93
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提交时间:2015/03/25
无权访问的条目
期刊论文
作者:
陈弘毅
;
陈宇
;
孙玲
;
郭睿倩
;
潘庆
;
何杰
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浏览/下载:1177/278
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提交时间:2012/07/17
平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
孙莉莉
;
闫发旺
;
张会肖
;
王军喜
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1508/264
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提交时间:2011/08/31
适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
孙莉莉
;
闫建昌
;
王军喜
;
刘乃鑫
;
魏同波
;
魏学成
;
马平
;
刘喆
;
曾一平
;
王国宏
;
李晋闽
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浏览/下载:1764/298
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提交时间:2011/08/31
全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
闫发旺
;
孙莉莉
;
张会肖
;
伊晓燕
;
王军喜
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1548/288
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提交时间:2011/08/31
采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201489.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
孙莉莉
;
闫发旺
;
张会肖
;
王军喜
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1871/288
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提交时间:2011/08/31
采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201505.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
孙莉莉
;
闫发旺
;
张会肖
;
王军喜
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1509/280
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提交时间:2011/08/31
一种增强LED出光效率的粗化方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263076.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
孙莉莉
;
闫建昌
;
王军喜
;
刘乃鑫
;
魏同波
;
魏学成
;
马平
;
刘喆
;
曾一平
;
王国宏
;
李晋闽
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浏览/下载:1879/300
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提交时间:2011/08/31
三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113816.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
孙莉莉
;
闫发旺
;
张会肖
;
王军喜
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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提交时间:2011/08/31