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| 太赫兹量子级联半导体激光器材料及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-02-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李路 ; 刘峰奇; 刘俊岐; 邵烨; 王占国
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| 一维光子晶体调制的量子级联激光器管芯结构及制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 邵烨; 刘峰奇; 刘俊歧; 李路
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| GaAs基单模面发射量子级联激光器结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘俊岐; 刘峰奇; 李路; 邵烨; 郭瑜; 梁平; 胡颖; 孙虹
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| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郭严; 宋华平; 郑高林; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 基于四波混频效应的微环谐振腔结构全光逻辑与门 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237088.8, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 翟耀; 陈少武
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| 一种可降低功耗的硅基级联谐振腔全光逻辑与门结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157655.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 翟耀; 陈少武
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| 一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102110594A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 彭红玲; 郑婉华; 石岩; 马绍栋
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| 基于微环谐振器结构的全光逻辑异或非门结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010115705.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
发明人: 翟耀; 陈少武
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