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| 金属有机物化学气相沉积装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-24, 2010-08-12 发明人: 段瑞飞; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(435Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2319/550  |  提交时间:2010/08/12 |
| 一种氮化物材料外延装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 段瑞飞; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(542Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1121/199  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种独立供应金属卤化物的氢化物气相外延装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 段瑞飞; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(541Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1073/215  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 段瑞飞; 刘喆; 钟兴儒; 魏同波; 马平; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(616Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1317/234  |  提交时间:2009/06/11 |
| 砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 高宏玲; 曾一平; 段瑞飞; 王宝强; 朱战平; 崔利杰 Adobe PDF(687Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1462/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘喆; 王军喜; 钟兴儒; 李晋闽; 曾一平; 段瑞飞; 马平; 魏同波; 林郭强 Adobe PDF(457Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1556/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 提高半导体光电转换器件性能的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李建明; 种明; 杨丽卿; 徐嘉东; 胡传贤; 段晓峰; 高旻; 朱建成; 王凤莲 Adobe PDF(337Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1214/182  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010119349.9, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张连; 丁凯; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(401Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1620/279  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010128387.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 丁凯; 张连; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(337Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1561/264  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氮化镓生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810224104.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 段瑞飞; 魏同波; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(242Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1604/227  |  提交时间:2011/08/31 |