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| 聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196156.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王宝军; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩; 潘教青; 梁松; 边静; 安心; 王伟; 周代兵
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| 异质掩埋激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196147.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王宝军; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩; 潘教青; 陈娓兮; 梁松; 边静; 安心; 王伟
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| 量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102162968A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 邵永波; 赵玲娟; 于红艳; 潘教青; 王宝军; 王圩
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| 一种直调式InP基单片集成少模光通信发射器芯片 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 张莉萌; 陆丹; 赵玲娟; 余力强; 潘碧玮; 王圩
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| 基于多模干涉器结构的外调制型少模光通信发射芯片 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 张莉萌; 陆丹; 赵玲娟; 余力强; 潘碧玮; 王圩
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| 可实现波长宽调谐的分布反射布拉格激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07
发明人: 余力强; 梁松; 赵玲娟; 张灿; 吉晨
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| 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人: 王建霞; 李志伟; 赵桂娟; 桑玲; 刘长波; 魏鸿源; 焦春美; 杨少延; 刘祥林; 朱勤生; 王占国
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| 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人: 赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 刘贵鹏; 刘长波; 谷承艳; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人: 刘长波; 赵桂娟; 桑玲; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人: 梁松; 张灿; 于立强; 赵玲娟; 朱洪亮; 吉晨; 王圩
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