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| 在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102208756A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 汪明; 杨涛 Adobe PDF(275Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1373/234  |  提交时间:2012/09/09 |
| 具有硅纳米线结构的硅薄膜太阳能电池的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20 发明人: 谢小兵; 曾湘波; 杨萍; 李洁; 李敬彦; 张晓东; 王启明 Adobe PDF(752Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:657/87  |  提交时间:2014/10/24 |
| 降低衬底表面残留杂质浓度的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-03, 2013-04-03 发明人: 刘京明; 赵有文; 王凤华; 杨凤云 Adobe PDF(553Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:731/105  |  提交时间:2014/10/24 |
| 生长InP基InAs量子阱的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20 发明人: 季海铭; 罗帅; 杨涛 Adobe PDF(434Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:673/102  |  提交时间:2014/10/24 |
| 制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19 发明人: 罗帅; 季海铭; 杨涛 Adobe PDF(361Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:697/79  |  提交时间:2014/10/28 |
| 制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-30 发明人: 刘建明; 桑玲; 赵桂娟; 刘长波; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(376Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:862/105  |  提交时间:2014/10/24 |
| 锑作为表面活性剂的InP基InAs量子阱材料的生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01 发明人: 季海铭; 罗帅; 杨涛 Adobe PDF(292Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:671/112  |  提交时间:2014/12/25 |
| 制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 杨涛; 高凤; 罗帅; 季海铭 Adobe PDF(531Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:498/30  |  提交时间:2016/09/28 |
| 大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29 发明人: 李辉杰; 杨少延; 魏鸿源; 赵桂娟; 汪连山; 李成明; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(710Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:575/2  |  提交时间:2016/09/29 |
| 大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 罗帅; 季海铭; 杨涛 Adobe PDF(446Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:487/6  |  提交时间:2016/09/28 |