生长InP基InAs量子阱的方法
季海铭; 罗帅; 杨涛
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-03-20 ; 2013-03-20
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2012-12-21
申请号CN201210564366.2
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25174
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
季海铭,罗帅,杨涛. 生长InP基InAs量子阱的方法.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
生长InP基InAs量子阱的方法.pdf(434KB) 限制开放使用许可请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[季海铭]的文章
[罗帅]的文章
[杨涛]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[季海铭]的文章
[罗帅]的文章
[杨涛]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[季海铭]的文章
[罗帅]的文章
[杨涛]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。