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| 基于n-InP的单片集成的光逻辑门及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910093299.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张云霄; 廖栽宜; 周帆; 赵玲娟; 王圩
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| 具有宽光谱响应的硅探测器结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102290481A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 刘德伟; 黄永光; 朱小宁; 王熙元; 马丽; 朱洪亮
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| 具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102227005A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 刘德伟; 黄永光; 朱小宁; 王熙元; 马丽; 朱洪亮
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| 广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280513A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 黄永光; 朱小宁; 刘德伟; 王熙元; 马丽; 朱洪亮
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| 在硅片上制作八边形微孔的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-24
发明人: 黄永光; 王熙元; 刘德伟; 朱小宁; 王宝军; 朱洪亮
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| 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 杨香; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 田丽欣; 刘敏; 申占伟; 赵万顺; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳
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| 一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 王晓亮; 李巍; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 王翠梅; 李百泉
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| 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳
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| 一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 王晓亮; 李巍; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 王翠梅; 李百泉
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