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| 利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242346.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 施辉伟; 陈诺夫; 黄添懋 ; 尹志岗; 吴金良; 张汉
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| 利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 时凯; 刘祥林; 魏鸿源; 焦春美; 王俊; 李志伟; 宋亚峰; 杨少延; 朱勤生; 王占国
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| 一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 潘教青; 王圩
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| 硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-21
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 潘教青; 王圩
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| 硅基高迁移率Ⅲ-V/Ge沟道的CMOS制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-11-13
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 潘教青; 王圩
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| 一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 潘教青; 王圩
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