| 利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法 | |
施辉伟; 陈诺夫; 黄添懋 ; 尹志岗; 吴金良; 张汉
| |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一石墨衬底，将石墨衬底抛光；步骤2：在磁控溅射室里，将抛光的石墨衬底磁控溅射多晶硅薄膜；步骤3：溅射结束后自然降温，形成样品；步骤4：将样品置于快速热退火炉里，快速退火，完成多晶硅薄膜的制作。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 专利号 | CN200910242346.1 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN200910242346.1 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22235 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 施辉伟,陈诺夫,黄添懋,等. 利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法. CN200910242346.1. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN200910242346.1.pdf（244KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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