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| 紫外光直写制作掺铒杂化SiO2光波导放大器的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王鵫; 吴远大; 李建光; 王红杰; 安俊明; 胡雄伟 Adobe PDF(489Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1472/256  |  提交时间:2009/06/11 |
| 基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉; 李家业; 王雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平 Adobe PDF(365Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1508/230  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉 Adobe PDF(685Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1281/186  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种SiGe弛豫衬底材料及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵雷; 左玉华; 王启明 Adobe PDF(765Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1250/191  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种硅基电光材料 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵雷; 左玉华; 王启明 Adobe PDF(475Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1138/174  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘兴昉; 孙国胜; 李晋闽; 赵永梅; 王雷; 赵万顺; 李家业; 曾一平 Adobe PDF(494Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1316/218  |  提交时间:2009/06/11 |
| 提高GaN基pin结构性能的紫外探测器及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵德刚; 杨辉; 梁骏吾; 李向阳; 龚海梅 Adobe PDF(577Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1139/183  |  提交时间:2009/06/11 |
| 提高GaN基肖特基结构性能的紫外探测器及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵德刚; 杨辉; 梁骏吾; 李向阳; 龚海梅 Adobe PDF(560Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1230/179  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉 Adobe PDF(730Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1136/167  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉 Adobe PDF(682Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1099/158  |  提交时间:2009/06/11 |