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无权访问的条目 期刊论文
作者:  He, Yuming;   Lu, Ziqing;   Kuai, Xuebao;   Feng, Zuo;   Han, Weihua;   Li, Zhaofeng;   Yan, Wei;   Yang, Fuhua
Adobe PDF(6102Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2022/11/03
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang, Zhen;   Li, Zhaofeng;   Dong, Hui;   Yang, Fuhua;   Yan, Wei;   Wang, Xiaodong
Adobe PDF(864Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2022/07/25
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu Ming He;   Fu Hua Yang ;   Wei Yan ;   Wei Hua Han;   Zhao Feng Li
Adobe PDF(4687Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2020/08/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yan, Wei;  Zhang, Renping;  Du, Yandong;  Han, Weihua;  Yang, Fuhua
Adobe PDF(387Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：818/225  |  提交时间：2013/04/22
无权访问的条目 期刊论文
作者:  杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  熊莹;  张仁平;  杨富华
Adobe PDF(531Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：3233/1392  |  提交时间：2012/07/17
SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人:  杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  杨富华
Adobe PDF(344Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1710/383  |  提交时间：2012/09/07
利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157361A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-08-17, 2012-09-07
发明人:  颜伟;  杜彦东;  韩伟华;  杨富华
Adobe PDF(370Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1299/336  |  提交时间：2012/09/07
一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-06
发明人:  李小明;  韩伟华;  张严波;  颜伟;  杜彦东;  陈燕坤;  杨富华
Adobe PDF(1354Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：852/91  |  提交时间：2014/10/24
具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  王进泽;  杨香;  颜伟;  刘胜北;  赵继聪;  何志;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(607Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：640/1  |  提交时间：2016/08/30
太赫兹波探测器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  白龙;  颜伟;  杨富华
Adobe PDF(691Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：513/5  |  提交时间：2016/09/28