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| 生长氮化铟单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 肖红领; 胡国新; 杨翠柏; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李建平; 李晋闽
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| 用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王保柱; 王晓亮; 王晓燕; 王新华; 肖红领; 王军喜; 刘宏新
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| 一种单晶薄膜异质结太阳电池及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010531371.4, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 韩培德
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| 利用氧化锌提高LED光提取效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910084159.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘祯; 段垚; 王晓峰; 曾一平
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| 具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人: 赵建华; 朱礼军
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| 立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 潘东; 赵建华
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| p型碲化锌单晶薄膜材料的掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-25
发明人: 刘超; 张理嫩; 杨秋旻; 崔利杰; 曾一平
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