p型碲化锌单晶薄膜材料的掺杂方法
刘超; 张理嫩; 杨秋旻; 崔利杰; 曾一平
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-12-25
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2013-09-16
申请号CN201310419775.8
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25650
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
刘超,张理嫩,杨秋旻,等. p型碲化锌单晶薄膜材料的掺杂方法.
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p型碲化锌单晶薄膜材料的掺杂方法.pdf(401KB) 限制开放使用许可请求全文
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