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| IV 族图形衬底上面内 InAsSb 纳米线及其网络的选区外延与表征 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2024
Authors: 文炼均
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| InAs纳米线及其网络在IV族衬底上的分子束外延 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
Authors: 刘磊
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| 低维锑基半导体材料光电探测器研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
Authors: 柴瑞青
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| III-V族半导体纳米线及其异质结的可控生长和性能表征 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors: 季祥海
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Iii-v族半导体纳米线 异质结纳米线 自催化生长机制 金属有机化学气相沉积 |
| 高质量大组分可调GaAs1-xSbx纳米线及GaAsSb/InAs核-壳同轴纳米线分子束外延生长与表征 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors: 李利霞
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| Si基InAsSb纳米线MOCVD生长及机理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
Authors: 杜文娜
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Inassb纳米线 生长机制 平面纳米线 纳米线阵列 金属有机化学气相沉积 |
| 无权访问的条目 学位论文
Authors: 王小耶
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| 直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
Inventors: 杜文娜; 杨晓光; 王小耶; 杨涛; 王占国
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