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| 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
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| 采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201505.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 发光二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130230A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜
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| 氮化镓生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224104.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 段瑞飞 ; 魏同波; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| MOCVD设备的石墨托盘 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 纪攀峰; 孔庆峰; 王文军; 胡强; 马平; 曾一平; 王军喜; 李晋闽
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| 用于MOCVD系统中控制外延片发光波长及均匀性的装置与方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人: 纪攀峰; 马平; 王军喜; 胡强; 冉军学; 曾一平; 李晋闽
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| 优化配置的多腔室MOCVD反应系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-05
发明人: 纪攀峰; 马平; 王军喜; 胡强; 冉军学; 曾一平; 李晋闽
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| MOCVD设备反应室进气的气体混合与隔离装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-08
发明人: 冉军学; 胡强; 胡国新; 梁勇; 熊衍凯; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 一种MOCVD设备中的石墨盘 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-10-25
发明人: 胡强; 李晋闽; 王军喜; 曾一平; 路红喜; 伊晓燕; 马平; 魏同波; 闫建昌; 纪攀峰
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