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CMOS硅发光二极管驱动电路 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  刘海军;  黄北举
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采用标准CMOS工艺制作的叉指型结构硅发光二极管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  刘海军;  黄北举
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具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  杨霏;  李成明;  范海波;  陈涌海;  刘志凯;  王占国
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碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  马志勇;  冉学军;  王翠敏;  肖红领;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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宽频域的硅基微机械可调谐光滤波器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  左玉华;  毛容伟;  王良臣;  成步文;  余金中;  王启明
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制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  薛春来;  成步文;  姚飞;  王启明
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半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王启元;  王俊;  王建华
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在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  李晋闽;  王军喜;  王晓亮;  王启元;  刘宏新;  王俊;  曾一平
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通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩伟华;  张扬;  刘剑;  杨富华
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与标准集成电路工艺兼容的硅基DBR激光器及其工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  刘海军;  高鹏;  顾明
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