已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 一种化学气相沉积装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010162506.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 段瑞飞; 曾一平; 王军喜; 冉军学; 胡国新; 羊建坤; 梁勇; 路红喜; 李晋闽 Adobe PDF(392Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1748/272  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种用于金属有机物化学气相沉积设备的进气喷头结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010269018.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 冉军学; 胡国新; 梁勇; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(756Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1478/250  |  提交时间:2011/08/31 |
| Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910236706.7, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 冉军学; 王晓亮; 李建平; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 杨翠柏; 李晋闽 Adobe PDF(328Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1663/301  |  提交时间:2011/08/31 |
| 在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010128376.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 魏萌; 王晓亮; 潘旭; 李建平; 刘宏新; 王翠梅; 肖红领 Adobe PDF(264Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1625/265  |  提交时间:2011/08/31 |
| 用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102492937A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 冉军学; 胡强; 梁勇; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(573Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2093/450  |  提交时间:2012/08/29 |