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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 杨冠卿; 张世著; 徐波; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(491Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:452/4  |  提交时间:2017/05/23 |
| 生长气氛对化学气相沉积石墨烯的影响 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2012 作者: 施辉东 Adobe PDF(4753Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1261/49  |  提交时间:2012/06/18 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Shi K (Shi K.); Zhang PF (Zhang P. F.); Wei HY (Wei H. Y.); Jiao CM (Jiao C. M.); Jin P (Jin P.); Liu XL (Liu X. L.); Yang SY (Yang S. Y.); Zhu QS (Zhu Q. S.); Wang ZG (Wang Z. G.) Adobe PDF(571Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1208/406  |  提交时间:2012/02/22 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Shi K; Liu XL; Li DB; Wang J; Song HP; Xu XQ; Wei HY; Jiao CM; Yang SY; Song H; Zhu QS; Wang ZG; Shi, K, 35 Tsinghua E Rd, Beijing 100083, Peoples R China. shikai@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn; lidb@ciomp.ac.cn Adobe PDF(376Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1955/661  |  提交时间:2011/07/05 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Huang TM (Huang TianMao); Chen NF (Chen NuoFu); Zhang XW (Zhang XingWang); Bai YM (BaiYiMing); Yin ZG (Yin ZhiGang); Shi HW (Shi HuiWei); Zhang H (Zhang Han); Wang Y (Wang Yu); Wang YS (Wang YanShuo); Yang XL (Yang XiaoLi); Huang, TM, Chinese AcadSci, InstSemicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tmhuang@semi.ac.cn Adobe PDF(671Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1272/350  |  提交时间:2010/11/14 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wang YS (Wang YanShuo); Chen NF (Chen NuoFu); Zhang XW (Zhang XingWang); Bai; YM (Bai YiMing); Wang Y (Wang Yu); Huang TM (Huang TianMao); Zhang H (Zhang Han); Shi HW (Shi HuiWei); Wang, YS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yswang@semi.ac.cn; nfchen@semi.ac.cn Adobe PDF(687Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1156/258  |  提交时间:2010/05/24 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhang H (Zhang Han); Chen NF (Chen NuoFu); Wang Y (Wang Yu); Zhang XW (Zhang XingWang); Yin ZG (Yin ZhiGang); Shi HW (Shi HuiWei); Wang YS (Wang YanSuo); Huang TM (Huang TianMao); Bai YM (Bai YiMing); Fu Z (Fu Zhen) Adobe PDF(583Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1143/282  |  提交时间:2010/09/07 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 肖海波; 曾湘波; 刘石勇; 彭文博; 石明吉; 张长沙 Adobe PDF(730Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1244/412  |  提交时间:2011/08/16 |
| 增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102394263A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 尹志岗; 张曙光; 张兴旺; 董敬敬; 高红丽; 施辉东 Adobe PDF(416Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1325/201  |  提交时间:2012/09/09 |
| 增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102394264A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 张兴旺; 张曙光; 尹志岗; 董敬敬; 高红丽; 施辉东 Adobe PDF(399Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1265/183  |  提交时间:2012/09/09 |