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锑化物II类超晶格异质结光电晶体管研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  林芳祁
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在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人:  贺继方;  尚向军;  倪海桥;  王海莉;  李密峰;  朱岩;  王莉娟;  喻颖;  贺正宏;  徐应强;  牛智川
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基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人:  喻颖;  李密锋;  贺继方;  査国伟;  徐建星;  尚向军;  王莉娟;  倪海桥;  贺振宏;  牛智川
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一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  李密锋;  喻颖;  贺继方;  査国伟;  尚向军;  倪海桥;  贺振宏;  牛智川
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