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| 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 杨霏; 李成明 ; 范海波; 陈涌海; 刘志凯; 王占国
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| 变温霍尔实验仪 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 1988-03-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 于耀川; 徐寿定; 范东华; 胡长有; 周仁楷; 李瑞云; 李平江
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| 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 王科范; 杨晓光; 杨涛; 王占国
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| 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王科范; 杨晓光; 杨涛; 王占国
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| 制备超饱和硫系元素掺杂硅的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-20, 2013-02-20
发明人: 王科范; 刘孔; 曲胜春; 王占国
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| 一种超饱和掺杂半导体薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-28
发明人: 王科范; 张华荣; 彭成晓; 曲胜春; 王占国
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| 硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-30
发明人: 王科范; 彭成晓; 刘孔; 谷城; 曲胜春; 王占国
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| 碳化硅中间带太阳电池及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 王科范; 张光彪; 丁丽; 刘孔; 曲胜春; 王占国
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