中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共102条，第1-10条 帮助

限定条件        
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
GaInNAs/GaAs quantum well lasers grown by solid-source molecular beam epitaxy 会议论文
COMMAD 2000 PROCEEDINGS, BUNDOORA, AUSTRALIA, DEC 06-08, 2000
作者:  Pan Z;  Li LH;  Wang XY;  Lin YW;  Pan Z Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(371Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1268/224  |  提交时间：2010/10/29
Operation  会议主办方: La Trobe Univ  Depts Electr Engn & Phys  
MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:  Yang H;  Zhang SM;  Xu DP;  Li SF;  Zhao DG;  Fu Y;  Sun YP;  Feng ZH;  Zheng LX;  Yang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Natl Res Ctr Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(380Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1656/238  |  提交时间：2010/10/29
Mocvd  Gan  Ingan  Cubic  Led  Chemical-vapor-deposition  Molecular-beam Epitaxy  Gallium Nitride  Phase Epitaxy  Ingan Films  Electroluminescence  Zincblende  Wurtzite  Mbe  
Raman scattering and infrared absorption of silicon nanocrystals in silicon oxide matrix 会议论文
FOURTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS, 4086, SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 08-11, 2000
作者:  Ma ZX;  Liao XB;  Zheng WM;  Yu J;  Chu JH;  Ma ZX Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Fis Mat Condensada State Key Lab Surface Phys POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(291Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：3409/1023  |  提交时间：2010/10/29
Nanocrystalline Silicon  Raman Scattering  Infrared Absorption  Phonon Confinement  Microcrystalline Silicon  Polycrystalline Silicon  Films  
Residual donors in undoped LEC InP 会议论文
SIMC-XI: 2000 INTERNATIONAL SEMICONDUCTING AND INSULATING MATERIALS CONFERENCE, PROCEEDINGS, CANBERRA, AUSTRALIA, JUL 03-07, 2000
作者:  Zhao YW;  Sun NF;  Sun TN;  Lin LY;  Wu XW;  Guo WL;  Wu X;  Bi KY;  Zhao YW Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(231Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1480/331  |  提交时间：2010/10/29
Indium-phosphide  Carbon  Defects  Growth  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu M;  Guo X;  Chen G;  Han H;  He M;  Sun K;  Zhu M,Univ Sci & Technol China,Grad Sch,POB 3908,Beijing 100039,Peoples R China.
Adobe PDF(1027Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1046/340  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu HZ;  Wang ZG;  Harrison I;  Bell A;  Ansell BJ;  Winser AJ;  Cheng TS;  Foxon CT;  Kawabe M;  Kawabe M,Univ Tsukuba,Inst Appl Phys,Tsukuba,Ibaraki 3058573,Japan.
Adobe PDF(120Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：906/245  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kang JY;  Huang QS;  Wang ZG;  Kang JY,Xiamen Univ,Dept Phys,Xiamen 361005,Peoples R China.
Adobe PDF(697Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：886/187  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang YC;  Huang CJ;  Liu FQ;  Xu B;  Ding D;  Jiang WH;  Li YF;  Ye XL;  Wu J;  Chen YH;  Wang ZG;  Zhang YC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(233Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1252/424  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen N;  Chen N,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100864,Peoples R China.
Adobe PDF(1379Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：722/132  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang YH;  Lu LW;  Zhang MH;  Huang Q;  Bao CL;  Zhou JM;  Lu LW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(135Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：995/308  |  提交时间：2010/08/12