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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, Gui-Juan;  Yang, Shao-Yan;  Liu, Gui-Peng;  Liu, Chang-Bo;  Sang, Ling;  Gu, Cheng-Yan;  Liu, Xiang-Lin;  Wei, Hong-Yuan;  Zhu, Qin-Sheng;  Wang, Zhan-Guo
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sang, Ling;  Yang, Shao Yan;  Liu, Gui Peng;  Zhao, Gui Juan;  Liu, Chang Bo;  Gu, Cheng Yan;  Wei, Hong Yuan;  Liu, Xiang Lin;  Zhu, Qin Sheng;  Wang, Zhan Guo
Adobe PDF(280Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1184/356  |  提交时间：2013/08/27
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ling Sang, Shao Yan Yang, Gui Peng Liu, Gui Juan Zhao, Chang Bo Liu, Cheng Yan Gu, Hong Yuan Wei,
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng YS (Peng Yin-Sheng);  Ye XL (Ye Xiao-Ling);  Xu B (Xu Bo);  Niu JB (Niu Jie-Bin);  Jia R (Jia Rui);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Liang S (Liang Song);  Yang XH (Yang Xiao-Hong);  Peng, YS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cynthia@semi.ac.cn
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一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人:  王建霞;  李志伟;  赵桂娟;  桑玲;  刘长波;  魏鸿源;  焦春美;  杨少延;  刘祥林;  朱勤生;  王占国
Adobe PDF(391Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1039/98  |  提交时间：2014/10/29
一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:  赵桂娟;  李志伟;  桑玲;  刘贵鹏;  刘长波;  谷承艳;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(822Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：999/85  |  提交时间：2014/10/29
利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:  刘长波;  赵桂娟;  桑玲;  王建霞;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(1880Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：889/33  |  提交时间：2014/10/28
制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-30
发明人:  刘建明;  桑玲;  赵桂娟;  刘长波;  王建霞;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(376Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：975/105  |  提交时间：2014/10/24