已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 张连; 魏学成; 路坤熠; 魏同波; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(2239Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:467/8  |  提交时间:2016/04/15 |
| 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(315Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2014/220  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214743A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 孙波; 王国宏 Adobe PDF(298Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1514/234  |  提交时间:2012/09/09 |
| 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 张逸韵; 汪炼成; 郭恩卿; 孙波; 伊晓燕; 王国宏 Adobe PDF(293Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2062/355  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241699.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(495Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1663/153  |  提交时间:2011/08/31 |
| 低位错氮化镓的生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102409406A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 吴奎; 魏同波; 闫建昌; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(258Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1274/208  |  提交时间:2012/09/09 |
| 自支撑氮化镓衬底的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102208340A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 孙波; 伊晓燕; 刘志强; 汪炼成; 郭恩卿; 王国宏 Adobe PDF(219Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1790/285  |  提交时间:2012/09/09 |
| 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 李璟; 王国宏; 魏同波; 张杨; 孔庆峰 Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2066/350  |  提交时间:2012/09/09 |
| 制备GaN厚膜垂直结构LED的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-13, 2013-03-13 发明人: 羊建坤; 魏同波; 胡强; 霍自强; 段瑞飞; 王军喜 Adobe PDF(403Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:920/97  |  提交时间:2014/10/24 |
| 制备微纳米柱发光二极管的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-03, 2013-04-03 发明人: 安铁雷; 孙波; 孔庆峰; 魏同波; 段瑞飞 Adobe PDF(633Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:710/81  |  提交时间:2014/10/24 |