| 制备GaN厚膜垂直结构LED的方法 | |
| 羊建坤; 魏同波; 胡强; 霍自强; 段瑞飞; 王军喜 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2013-03-13 ; 2013-03-13 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体器件 |
| Application Date | 2012-11-30 |
| Application Number | CN201210505214.5 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25189 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 羊建坤,魏同波,胡强,等. 制备GaN厚膜垂直结构LED的方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 制备GaN厚膜垂直结构LED的方法.pd（403KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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