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| 用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 闫发旺; 高海永; 张扬; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖 Adobe PDF(447Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1666/270  |  提交时间:2009/06/11 |
| 高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张扬; 闫发旺; 高海永; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 李晋闽 Adobe PDF(561Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:3013/218  |  提交时间:2009/06/11 |
| 单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 肖红领; 杨翠柏; 胡国新; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李建平; 李晋闽 Adobe PDF(676Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1608/246  |  提交时间:2009/06/11 |
| 生长氮化铟单晶薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 肖红领; 胡国新; 杨翠柏; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李建平; 李晋闽 Adobe PDF(480Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1560/200  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(1055Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1344/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(843Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1286/186  |  提交时间:2009/06/11 |
| 提高GaN基pin结构性能的紫外探测器及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵德刚; 杨辉; 梁骏吾; 李向阳; 龚海梅 Adobe PDF(577Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1231/183  |  提交时间:2009/06/11 |
| 提高GaN基肖特基结构性能的紫外探测器及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵德刚; 杨辉; 梁骏吾; 李向阳; 龚海梅 Adobe PDF(560Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1362/179  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Li YQ; Yang Y; Fu SY; Yi XY; Wang LC; Chen HD; Fu, SY, Chinese Acad Sci, Tech Inst Phys & Chem, Beijing 100190, Peoples R China. 电子邮箱地址: syfu@mail.ipc.ac.cn Adobe PDF(1243Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1489/605  |  提交时间:2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Chen JJ; Li ZF; Fan ZC; Yang FH; Chen, JJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res Ctr Semicond Integrat, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jjchen@semi.ac.cn Adobe PDF(753Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:988/258  |  提交时间:2010/03/08 |