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| 宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘宁; 金鹏; 王占国 Adobe PDF(447Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1291/201  |  提交时间:2009/06/11 |
| 宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘宁; 金鹏; 王占国 Adobe PDF(751Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1109/180  |  提交时间:2009/06/11 |
| 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 牛智川; 倪海桥; 韩勤; 张石勇; 吴东海; 赵欢; 杨晓红; 彭红玲; 周志强; 熊永华; 吴荣汉 Adobe PDF(588Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1518/248  |  提交时间:2009/06/11 |
| 与标准集成电路工艺兼容的硅基DBR激光器及其工艺 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈弘达; 刘海军; 高鹏; 顾明 Adobe PDF(534Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1465/140  |  提交时间:2009/06/11 |
| 深亚微米CMOS工艺电感补偿型光电探测器及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈弘达; 高鹏; 顾明; 刘海军 Adobe PDF(737Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1101/123  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 于理科; 徐波; 王占国; 金鹏; 赵昶; 张秀兰 Adobe PDF(627Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1467/167  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 于理科; 徐波; 王占国; 金鹏; 赵昶; 张秀兰 Adobe PDF(681Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1199/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王元立; 吴巨; 金鹏; 叶小玲; 张春玲; 黄秀颀; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(409Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1618/181  |  提交时间:2009/06/11 |
| 直径六英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术 成果 2007 主要完成人: 李晋闽; 曾一平; 惠峰; 卜俊鹏; 王文军; 郑红军; 孙红方 收藏  |  浏览/下载:2282/0  |  提交时间:2010/04/13 六英寸半绝缘砷化镓单晶 |
| GaAs 基半导体器件的高频特性研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007 作者: 彭红玲 Adobe PDF(1556Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1152/31  |  提交时间:2009/04/13 |