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| 高温原位减薄硅基底的装置和方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘祥林; 杨少延; 焦春美 Adobe PDF(312Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1571/268  |  提交时间:2009/06/11 |
| 以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 任芸芸; 徐波; 周惠英; 刘明; 李志刚; 王占国 Adobe PDF(298Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1439/234  |  提交时间:2009/06/11 |
| 基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉; 李家业; 王雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平 Adobe PDF(365Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1515/230  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉 Adobe PDF(685Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1291/186  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(1055Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1250/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(843Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1229/186  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种生长二氧化硅薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓东; 季安; 邢波; 杨富华 Adobe PDF(485Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1236/194  |  提交时间:2009/06/11 |
| 绝缘体上硅背腐蚀全反射的垂直耦合结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 贾亮; 刘育梁 Adobe PDF(387Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1086/146  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种硅基电光材料 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵雷; 左玉华; 王启明 Adobe PDF(475Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1146/174  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种具有侧栅结构的硅基单电子记忆存储器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 韩伟华; 杨香; 吴南健 Adobe PDF(1822Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1123/118  |  提交时间:2009/06/11 |