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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:半导体集成技术工程研究中心
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硅基水平III-V族纳米线晶体管的研究
学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2017
作者:
张望
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浏览/下载:890/32
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提交时间:2017/06/01
纳米线晶体管
Soi图形衬底
水平iii-v族纳米线
界面态
变温电学特性
无权访问的条目
期刊论文
作者:
张奇
;
赵懿昊
;
董振
;
王翠鸾
;
李伟
;
刘素平
;
马骁宇
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提交时间:2017/03/16
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang, Yanbo
;
Du, Yandong
;
Xiong, Ying
;
Yang, Xiang
;
Han, Weihua
;
Yang, Fuhua,
;
Han, W.(weihua@semi.ac.cn)
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浏览/下载:991/286
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提交时间:2012/06/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
杜彦东
;
韩伟华
;
颜伟
;
张严波
;
熊莹
;
张仁平
;
杨富华
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浏览/下载:3233/1392
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提交时间:2012/07/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Du, Y.D.
;
Cao, H.Z.
;
Yan, W.
;
Han, W.H.
;
Liu, Y.
;
Dong, X.Z.
;
Zhang, Y.B.
;
Jin, F.
;
Zhao, Z.S.
;
Yang, F.H.
;
Duan, X.M.
;
Han, W.H.(weihua@semi.ac.cn)
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提交时间:2012/06/14
SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人:
杜彦东
;
韩伟华
;
颜伟
;
张严波
;
杨富华
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浏览/下载:1871/383
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提交时间:2012/09/07
一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-06
发明人:
李小明
;
韩伟华
;
张严波
;
颜伟
;
杜彦东
;
陈燕坤
;
杨富华
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浏览/下载:961/91
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提交时间:2014/10/24
一种微光学陀螺Sagnac效应光波导芯片及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-10
发明人:
杨添舒
;
刘雯
;
时彦朋
;
马静
;
张端
;
郑婉华
;
王晓东
;
杨富华
Adobe PDF(1332Kb)
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提交时间:2014/12/25