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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen C (Chen Chen); Jia R (Jia Rui); Li WL (Li Weilong); Li HF (Li Haofeng); Ye TC (Ye Tianchun); Liu XY (Liu Xinyu); Liu M (Liu Ming); Kasai S (Kasai Seiya); Tamotsu H (Tamotsu Hashizume); Wu NJ (Wu Nanjian); Jia, R, Chinese Acad Sci, Inst Microelect, Beijing 100029, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiarui@ime.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈微 ; 邢名欣; 任刚; 王科; 杜晓宇; 张冶金; 郑婉华
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| 基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉; 李家业; 王雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平
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| 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉
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| 用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘兴昉; 孙国胜; 李晋闽; 赵永梅; 王雷; 赵万顺; 李家业; 曾一平
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| 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04
发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉
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| 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杜晓宇; 郑婉华; 张冶金; 任刚; 王科; 邢名欣; 陈良惠
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郑婉华; 任刚; 邢名欣; 杜晓宇; 王科; 张冶金; 陈良惠
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li DY (Li D. Y.); Huang YZ (Huang Y. Z.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Zhao DG (Zhao D. G.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Ye XJ (Ye X. J.); Chong M (Chong M.); Chen LH (Chen L. H.); Yang H (Yang H.); Liang JW (Liang J. W.); Li, DY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect & Nanooptoelec, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dyli@red.semi.ac.cn
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