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Correlation Between Lattice Strain and Energy Gap Bowing of AlxGa1-xN Epitaxial Thin Films 会议论文
MATERIALS RESEARCH, Chongqing, PEOPLES R CHINA, JUN 09-12, 2008
作者:  Zhao L;  Lu ZX;  Cheng CJ;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Sun BJ;  Qu B;  Zhang XF;  Sun WG;  Zhao, L, Luoyang Optoelect Inst, Luoyang, Peoples R China.
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Alxga1-xn  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Liu ZS;  Zhang SM;  Yang H;  Jahn U;  Ploog KH;  Zhao DG Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL;  Zhao DG;  Jiang DS;  Yang H;  Liang JW;  Jahn U;  Ploog K;  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: WXL@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang BS;  Wu M;  Shen XM;  Chen J;  Zhu JJ;  Liu JP;  Feng G;  Zhao DG;  Wang YT;  Yang H;  Zhang BS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng G;  Shen XM;  Zhu JJ;  Zhang BS;  Zhao DG;  Wang YT;  Yang H;  Liang JW;  Feng G,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng G;  Zheng XH;  Zhu JJ;  Shen XM;  Zhang BS;  Zhao DG;  Sun YP;  Zhang ZH;  Wang YT;  Yang H;  Liang JW;  Feng G,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng G;  Zheng XH;  Fu Y;  Zhu JJ;  Shen XM;  Zhang BS;  Zhao DG;  Wang YT;  Yang H;  Liang JW;  Feng G,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun YP;  Fu Y;  Qu B;  Wang YT;  Feng ZH;  Shen XM;  Zhao DG;  Zheng XH;  Duan LH;  Li BC;  Zhang SM;  Yang H;  Sun YP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: ypsun@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fu Y;  Yang H;  Zhao DG;  Zheng XH;  Li SF;  Sun YP;  Feng ZH;  Wang YT;  Duan LH;  Fu Y,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:  Yang H;  Zhang SM;  Xu DP;  Li SF;  Zhao DG;  Fu Y;  Sun YP;  Feng ZH;  Zheng LX;  Yang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Natl Res Ctr Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Mocvd  Gan  Ingan  Cubic  Led  Chemical-vapor-deposition  Molecular-beam Epitaxy  Gallium Nitride  Phase Epitaxy  Ingan Films  Electroluminescence  Zincblende  Wurtzite  Mbe