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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Sun, GS
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Liu, XF
;
Ji, G
;
Zeng, YP
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
In-situ Doping
Boron
Aluminum
Memory Effects
Hot-wall Lpcvd
4h-sic
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Li, JY
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Silicon Carbide
Aluminum Nitride
Buffer Layer
Lpcvd
Characterization of self-organized InAs/GaAs quantum dots under strain-induced and temperature-controlled nucleation mechanisms by atomic force microscopy and photoluminescence spectroscopy
会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:
Liang, LY
;
Ye, XL
;
Jin, P
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
;
Liang, LY, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Induced Refractive-index
Growth
Lasers
Gaas
Polarization-Independent Micro-Ring Resonator on Silicon-on-Insulator
会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:
Geng, MM
;
Jia, LX
;
Zhang, L
;
Yang, L
;
Liu, YL
;
Li, F
;
Geng, MM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Optoelect Syst Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Wave-guides
Devices
Design
Observation of photogalvanic current for interband absorption in InN films at room temperature
会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:
Tang, CG
;
Chen, YH
;
Liu, Y
;
Zhang, RQ
;
Liu, XL
;
Wang, ZG
;
Zhang, R
;
Zhang, Z
;
Tang, CG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Quantum-wells
Spin
Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Gas Sensors
Hemt Structures
Mobility
Temperature
Transistors
Growth
Mocvd
Layer
Fracture properties of silicon carbide thin films charcterized by bulge test of long membranes
会议论文
2008 3RD IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANO/MICRO ENGINEERED AND MOLECULAR SYSTEMS, Sanya, PEOPLES R CHINA, JAN 06-09, 2008
作者:
Zhou, W
;
Yang, JL
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Yang, FH
;
Li, JM
;
Zhou, W, CAS, Inst Semicond, Beijing 100864, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Bulge Test Fracture Property
Silicon Carbide Thin Films
Weibull Distribution Function
AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:
Tang, J
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Wang, XY
;
Hu, GX
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Performance
Heterostructures
Optimization
Mobility
High epitaxial growth rate of 4H-SiC using TCS as silicon precursor
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Ji, G
;
Sun, GS
;
Ning, J
;
Liu, XF
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Ji, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Highly efficient and tunable microlasers on photonic crystal slab
会议论文
PROCEEDINGS OF THE 2008 INTERNATIONAL WORKSHOP ON METAMATERIALS, Nanjing, PEOPLES R CHINA, NOV 09-12, 2008
作者:
Zheng, WH
;
Zheng, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09