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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo XD;  Xu ZY;  Tan PH;  Ge WK;  Luo, XD, Nantong Univ, Sch Sci, Jiangsu Provincial Key Lab Asic Design, Nantong 226007, Peoples R China.
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Effect of SiO2 encapsulation on the nitrogen reorganization in GaNAs/GaAs single quantum well 会议论文
APOC 2003:ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS; MATERIALS, ACTIVE DEVICES, AND OPTICAL AMPLIFIERS, PTS 1 AND 2, 5280, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 04-06, 2003
作者:  Ying-Qiang X;  Zhang W;  Niu ZC;  Wu RG;  Wang QM;  Ying-Qiang X Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Ganas  Sio2 Encapsulation  Rapid-thermal-annealing  Nitrogen Reorganization  Molecular-beam Epitaxy  Optical-properties  Mu-m  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bian LF;  Jiang DS;  Lu SL;  Huang JS;  Chang K;  Li LH;  Harmand JC;  Bian LF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo XD;  Xu ZY;  Ge WK;  Pan Z;  Li LH;  Lin YW;  Luo XD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo XD;  Xu ZY;  Pan Z;  Li LH;  Lin YW;  Ge WK;  Luo XD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang DS;  Sun BQ;  Tan PH;  Li LH;  Pan Z;  Jiang DS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,NLSM,Beijing 100083,Peoples R China.
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Optical transitions in GaNAs/GaAs single quantum well 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:  Luo XD;  Xu ZY;  Sun BQ;  Pan Z;  Li LH;  Lin YW;  Ge WK;  Luo XD Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Ganas  Photoluminescence  Band Offset  Band Bowing Coefficient  Localized Exciton  Molecular-beam Epitaxy  Alloys  Temperature  Gaasn  
Epitaxial growth of GaNAs/GaAs heterostructure materials 会议论文
THIN SOLID FILMS, 368 (2), SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 10-13, 1999
作者:  Lin YW;  Pan Z;  Li LH;  Zhou ZQ;  Wang H;  Zhang W;  Lin YW Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Ganas  Dc Active N-2 Plasma  Molecular Beam Epitaxy  Nitrogen Content  Fourier Transform Infrared Spectroscopy Of Intensity  Band-gap Energy  Gaas1-xnx  Nitrogen  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lin YW;  Pan Z;  Li LH;  Zhou ZQ;  Wang H;  Zhang W;  Lin YW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan Z;  Li LH;  Lin YW;  Zhou ZQ;  Zhang W;  Wang YT;  Wu RH;  Pan Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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