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中国科学院半导体研究所机构知识库
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InAs单晶原生缺陷、Mn掺杂及相关光电性质研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
沈桂英
Adobe PDF(4309Kb)
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浏览/下载:671/18
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提交时间:2018/06/04
Inas单晶
热退火
离子注入
缺陷复合体
杂质带电导
II-VI族三元光伏材料ZnSeTe的生长与物性研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:
任敬川
Adobe PDF(3047Kb)
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浏览/下载:731/12
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提交时间:2016/06/03
Ii-vi族半导体
分子束外延
Znsete
单晶薄膜
掺杂
带隙可调的钙钛矿材料制备及其光电器件的应用
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:
王乐
Adobe PDF(3539Kb)
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浏览/下载:735/39
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提交时间:2016/05/30
钙钛矿
薄膜
单晶
可调带隙
光电器件
VGF-Ge单晶衬底完整性、复合缺陷及其对多结电池性能的影响
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:
曹可慰
Adobe PDF(3546Kb)
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浏览/下载:1311/23
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提交时间:2015/12/08
锗
单晶
垂直梯度凝固
多结电池
热施主
直径六英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术
成果
2007
主要完成人:
李晋闽
;
曾一平
;
惠峰
;
卜俊鹏
;
王文军
;
郑红军
;
孙红方
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浏览/下载:2357/0
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提交时间:2010/04/13
六英寸半绝缘砷化镓单晶
2”直径的半绝缘磷化铟单晶
成果
1992
主要完成人:
刘巽琅
;
叶式中
;
赵建群
;
焦景华
;
曹惠梅
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浏览/下载:1357/0
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提交时间:2010/04/13
磷化铟单晶
微重力条件下从溶体生长GaAs单晶及性质研究
成果
1989
主要完成人:
林兰英
;
周伯骏
;
钟兴儒
;
王占国
;
石志文
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浏览/下载:1264/0
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提交时间:2010/04/13
Gaas单晶
掺氮中子擅变区熔硅单晶的制备
成果
1988
主要完成人:
梁骏吾
;
邓礼生
;
郑红军
;
黄大定
;
栾洪发
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浏览/下载:1310/0
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提交时间:2010/04/13
硅单晶
硅单晶次缺陷图集
成果
1987
主要完成人:
张一心
;
蔡田海
;
高维滨
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提交时间:2010/04/13
硅单晶