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中国科学院半导体研究所机构知识库
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Li, HJ
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Zhao, GJ
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Zhu, QS
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提交时间:2015/03/25
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Zhao GJ (Zhao Gui-Juan)
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Li ZW (Li Zhi-Wei)
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Wei HY (Wei Hong-Yuan)
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Liu GP (Liu Gui-Peng)
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Liu XL (Liu Xiang-Lin)
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Yang SY (Yang Shao-Yan)
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Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
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提交时间:2013/03/26
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Xu D (Xu Dong)
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Tang DM (Tang Dong-mei)
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Jiao L (Jiao Lei)
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Cheng XN (Cheng Xiao-nong)
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提交时间:2013/04/02
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作者:
Liu, GP
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Wu, J
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Zhao, GJ
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Gu, CY
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Liu, CB
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Sang, L
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Wang, ZG
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提交时间:2013/03/17
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期刊论文
作者:
Liu, GP
;
Wu, J
;
Zhao, GJ
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Liu, SM
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Mao, W
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Hao, Y
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Liu, CB
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Yang, SY
;
Liu, XL
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Zhu, QS
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Wang, ZG
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提交时间:2013/03/17
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Xu, D
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Zhang, C
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Lin, YH
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Zhao, GP
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提交时间:2013/03/17
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Xu, D
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Tang, DM
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Jiao, L
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Zhao, GP
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提交时间:2013/03/17
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期刊论文
作者:
Sang, L
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Liu, JM
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Xu, XQ
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Wang, J
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Zhao, GJ
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Liu, CB
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Wang, ZG
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提交时间:2013/03/17
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期刊论文
作者:
Xu, D
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Wang, BA
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Lin, YH
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Jiao, L
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Yuan, HM
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Zhao, GP
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Cheng, XN
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提交时间:2013/03/17
一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:
赵桂娟
;
李志伟
;
桑玲
;
刘贵鹏
;
刘长波
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谷承艳
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魏鸿源
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刘祥林
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朱勤生
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杨少延
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王占国
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提交时间:2014/10/29