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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu SY; Zeng XB; Peng WB; Xiao HB; Yao WJ; Xie XB; Wang C ; Wang ZG; Liu, SY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. liushiyong@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yao WJ; Zeng XB; Peng WB; Liu SY; Xie XB; Wang C; Liao XB; Zeng, XB (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China, xbzeng@semi.ac.cn
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| 直径六英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术 成果
2007
主要完成人: 李晋闽; 曾一平; 惠峰; 卜俊鹏; 王文军; 郑红军; 孙红方
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六英寸半绝缘砷化镓单晶 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: QIAN SX; WU JY; YUAN S; LI YF; ANDERSSON TG; CHEN ZG; PENG WJ; SHE WL; YU ZX
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: QIAN SX; YUAN S; LI YF; ANDERSSON TG; CHEN ZG; PENG WJ; YU ZX; QIAN SX FUDAN UNIVDEPT PHYSSHANGHAI 200433PEOPLES R CHINA
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| 一种改进非晶硅太阳电池性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010117751.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘石勇; 曾湘波; 彭文博; 肖海波; 姚文杰; 谢小兵; 王超; 王占国
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| 一种光电分离的太阳能电池背反射器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010162344.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 肖海波; 曾湘波; 刘石勇; 彭文博; 谢小兵; 姚文杰; 王超
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| 一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010162332.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 肖海波; 曾湘波; 谢小兵; 姚文杰; 彭文博; 刘石勇
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| 一种改进非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 姚文杰; 曾湘波; 彭文博; 刘石勇; 谢小兵; 王超; 杨萍
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| 石墨烯片插层化合物制备方法及原位显微拉曼表征系统 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102156116A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-08-17, 2012-08-29
发明人: 谭平恒; 赵伟杰; 韩文鹏; 历巧巧; 姬扬
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